1月8日，中共中央、国务院在北京人民大会堂隆重举行国家科学技术奖励大会。党和国家领导人习近平、李克强等出席大会并为获奖代表颁奖。由海外人才缓冲基地（先进材料研究院）黄维院士领衔、我院孙会彬教授参与的“金属有机半导体的结构设计、性能调控与光电应用”成果获得国家自然科学奖二等奖，这也是黄维院士及其团队第二次斩获国家自然科学奖。该项研究围绕金属有机半导体的高性能化与多功能化，在结构设计、性能调控、光电应用方面获得了系列创新成果，为有机电子学发展做出了重要贡献。
据介绍，有机半导体的研究归属于有机光电子学科旗下，是信息领域的一门新兴交叉学科。近年来，有机光电子学对材料、信息、生命、能源等多个国民经济关键环节产生了重要影响。此项成果发现金属有机半导体在金属原子旋轨耦合作用下，可同时利用单重态和三重态激发态，且具有优异的电学性质。成果具体体现在三方面，一是围绕金属有机半导体的高性能化，提出高性能金属有机半导体结构设计新原理，提高了有机发光二极管效率；二是围绕金属有机半导体的多功能化，发展智能响应型金属有机半导体，实现了高密度和高安全性信息存储；三是发现金属有机半导体的高灵敏“信息传感”功能，利用长寿命三重激发态，通过时间分辨光学技术提高生物信息传感信噪比。
该项目带头人黄维院士是我国有机光电子学科和柔性光电子学科的主要奠基人与开拓者之一，在构建有机光电子学科的理论体系框架、实现有机半导体的高性能化与多功能化、推进科技成果转化与战略性新兴产业方面做了大量富有开拓性、创新性和系统性的研究工作。黄维院士及其团队是国际上最早涉足“有机光电子”研究的团队之一。该项目历时十余年，发表SCI论文115篇，8篇代表性论文发表在Nat Commun、Adv Mater、Angew Chem Int Ed、Adv Funct Mater等国际权威期刊上。
作者：海外人才缓冲基地（先进材料研究院）；审核：王建浦
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