最近的几十年来，有机半导体材料作为有机场效应晶体管（OFET）的活性层成为热点问题之一，OFET的性能尤其是P型半导体取得突飞猛进的进步，但是投入日常应用还有很长的路要走，比如医疗设备中应用的OTFT器件需要暴露在很高的温度下。大部分有机场效应晶体管在超过100℃下迁移率会降低、变得不稳定，所以设计这种热稳性的材料仍然是一个巨大的挑战。由于蒽自身的特点：溶解性好易于修化学修饰，良好的空气稳定性、高的迁移率和强的荧光，使得蒽及其衍生物是OTFT和OLED器件的理想的半导体材料。此外我们发现二苯并呋喃基团具有高荧光量子产率、易结晶性、热稳性好且具有平面性等优点而广泛应用于OLED磷光材料中。我们通过Suzuki偶联反应将3-位取代的二苯并呋喃，引入到蒽的2,6位，设计并合成了平面性较好的蒽衍生物BDBFAnt。基于BDBFAnt材料的有机场效应晶体管的迁移率达到3.0 cm²V^-1s^-1，其相对荧光量子效率达到50%，同时具有良好的热稳定的性质，经过220 ℃退火后其迁移率基本保持不变，该工作拓展了有机场效应晶体管的潜在应用，相关成果发表在Org. Electron.,2017,43, 105上。

文章链接：http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1566119917300058